Под заказ

Растровый микроскоп JEOL JSM 7800F PRIME

Артикул: 5-363086

  • Увеличение x25- x1 000 000
  • Ускоряющее напряжение 10 В - 30 кВ
  • Ток пучка 1 пА - 500 нА
  • Источник электронов Термополевой (катод Шоттки)
  • Линза, оптимизирующая угол вхождения пучка в диафрагму Встроена по умолчанию

Новейший РЭМ с термополевым катодом JSM-7800F Prime позволяет получать изображение с самым высоким разрешением в мире для данного класса РЭМ, благодаря обновленному, по сравнению с предыдущей моделью JSM-7800F, режиму Gentle Beam (GBSH). Кроме того, максимальный ток пучка в пушке с катодом Шоттки конструкции «In-lens» увеличен с 200 нА до 500 нА.

 

Более высокая яркость достигается за счет оптимального сочетания электронной пушки конструкции “in-lens” и линз конденсора с низкой аберрацией. Ток зонда от нескольких пикоампер до нескольких десятков нА достижим даже при низком ускоряющем напряжении, за счет эффективного сбора электронов, генерируемых пушкой, что позволяет получать как высокое разрешение, так и картины дифракции отраженных электронов на наноуровне, выполнять высокоскоростное картирование, не переключаясь при этом с минимальной апертуры объективной линзы.

 

В JSM-7800F PRIME модернизирован также режим подачи напряжения смещения на образец - Gentle Beam (GB). Модернизированный режим (GBSH) позволяет работать с более высокими напряжениями смещения на образце, обеспечивая получение изображения со сверхвысоким разрешением и прекрасным соотношением сигнал-шум даже при низких ускоряющих напряжениях. Также он дает возможность выбрать оптимальное ускоряющее напряжение для работы с различными типами образцов для изучения их морфологии и проведения элементного анализа на наноуровне.

Конструкция JSM-7800F Prime предусматривает 4 вида детекторов, в том числе верхнего детектора электронов (UED), верхнего детектора вторичных электронов (USD), детектора обратно-рассеянных электронов (BED), и нижнего детектора электронов (LED).

 

Для UED, детектора вторичных и обратно-рассеянных электронов, режим работы может быть изменен, в зависимости от напряжения на энергетическом фильтре, что позволяет выбрать ту или иную энергию электронов для получения изображений с определенным контрастом. USD фиксирует низкоэнергетические электроны, которые были отклонены сеткой фильтра. С помощью детектора BED можно наблюдать эффект каналирования, фиксируя отраженные электроны, вылетающие из образца под высокими или низкими углами. Детектор LED позволяет получать 3D-изображения, в том числе - информацию о шероховатости поверхности.

 

Разрешение 0,7 нм(15 кВ)
0,7 нм(1 кВ)
3,0 нм (5 кВ, WD10мм, 5 нА)
Увеличение x25- x1 000 000
Ускоряющее напряжение 10 В - 30 кВ
Ток пучка 1 пА - 500 нА
Источник электронов Термополевой (катод Шоттки)
Линза, оптимизирующая угол вхождения пучка в диафрагму Встроена по умолчанию
Детекторы Верхний детектор электронов (UED)
Нижний детектор вторичных электронов (LED)
Верхний детектор вторичных электронов (USD)
Детектор отраженных электронов для малых рабочих отрезков (BED)
Энергетический фильтр Встроен
Режим «Gentle beam» Встроен
Контролируемое давление в камере образцов при работе в низковакуумном режиме 10 - 300 Па
Столик образцов Полностью эвцентрический гониометрический столик
Моторизованный по 5-ти осям
Диапазон перемещений: X: 70 мм, Y: 50мм
Наклон: от -5° до 70°
Вращение: 360°
Рабочее расстояние от 2мм до 41мм
Вакуумная система Сорбционно-ионный насос (SIP) – 2 шт.
Турбомолекулярный насос (TMP)
Форвакуумный насос (RP)
Энергопотребление При нормальной работе – 1,3 кВА
В режиме ожидания – 0,8 кВА
Устанавливаемые опции Энергодисперсионный спектрометр
Спектрометр с дисперсией по длинам волн
Система дифракции отраженных электронов
Система катодолюминесценции
Наноманипуляторы
Детектор тока, индуцированного пучком (EBIC)

 

Запросить цену в 1 клик
Комментарии