Материалы для литографии
Артикул: 5-354543
- Применение: Нанесение распылением
- Толщина мкм:1-20
- Тональность: обращаемый
- Длина волны экспонирования: i,h,g линии
- Проявитель: AZ 826 MIF, AZ 400K
- Сниматель: AZ 100 Remover
Артикул: 5-354568
- Резист: Обращаемый фоторезист
- Толщина мкм: 3-5
- Длина волны экспонирования: i,h,g линии
- Проявитель: AZ 826 MIF, AZ 400K
- Сниматель: AZ 100 Remover
Артикул: 5-354594
- Применение: Активатор адгезии
- Особенности: Жидкий активатор адгезии на основе соединений титана
Артикул: 5-354595
- Материал:Циклопентанон
- Точка вспышки, °С :22
- Температура кипения, °С :131
- Особенности: Разбавление фоторезистов, удаление краевого валика
- Степень чистоты:ULSI, VLSI
Артикул: 5-354596
- Материал:Этиллактат
- Точка вспышки, °С :59
- Температура кипения, °С :154
- Особенности: Разбавление фоторезистов, удаление краевого валика
- Степень чистоты:VLSI
Артикул: 5-354597
- Материал: Этилацетат
- Точка вспышки, °С : -1
- Температура кипения, °С :77
- Особенности: Разбавление фоторезистов, удаление краевого валикам
- Степень чистоты:MR, MOS, VLSI
Артикул: 5-354598
- Материал: Изопропиловый спирт
- Точка вспышки, °С : 13
- Температура кипения, °С :82
- Особенности: Растворитель, средство для отмывки органических загрязнений
- Степень чистоты:VLSI
Артикул: 5-354599
- Материал: Метилизобутилкетон
- Точка вспышки, °С : 14
- Температура кипения, °С :116
- Особенности: Разбавление фоторезистов, удаление краевого валика
- Степень чистоты:VLSI
Артикул: 5-354600
- Материал: Метанол
- Точка вспышки, °С : 11
- Температура кипения, °С :64,7
- Особенности: Растворитель, средство для отмывки органических загрязнений
- Степень чистоты:VLSI, ULSI
Артикул: 5-354601
- Материал: ПГМЕА
- Точка вспышки, °С : 45
- Температура кипения, °С : 125
- Особенности: Разбавление фоторезистов, удаление краевого валика
- Степень чистоты:ULSI
Артикул: 5-354602
- Материал: N-метилпирролидон
- Точка вспышки, °С : 91
- Температура кипения, °С : 202
- Особенности: Разбавление фоторезистов, удаление краевого валика
- Степень чистоты:MOS
Артикул: 5-354603
- Материал: γ-бутиролактон
- Точка вспышки, °С : 98
- Температура кипения, °С : 204
- Особенности: Разбавление фоторезистов, удаление краевого валика
- Степень чистоты:ULSI
Артикул: 5-354559
- Резист: Негативные фоторезисты
- Толщина мкм: 8-100
- Длина волны экспонирования: 350-400 нм
- Проявитель: TMAH, SU-8 developer и др.
- Сниматель: Remover PG
Артикул: 5-354570
- Резист: Негативный
- Толщина мкм: 0,5-150
- Длина волны экспонирования: 350-400 нм
- Проявитель: SU-8 developer
- Сниматель: Remover PG
Артикул: 5-354571
- Резист: Негативный
- Толщина мкм: 8-100
- Длина волны экспонирования: 350-400 нм
- Проявитель: TMAH, SU-8 developer и др.
- Сниматель: Remover PG
Артикул: 5-354579
- Резист: Позитивный
- Толщина мкм: 0,5-2,0
- Другие методы экспонирования: я-линия, ГУФ, рентген
- Проявитель: Разработчик нано ПММА
- Сниматель: АР 600-71, АР 300-76, АР300-72
Артикул: 5-354580
- Резист: Позитивный
- Толщина мкм: 0,5-5,0
- Другие методы экспонирования: я-, г-. ч-линии, рентген, ГУФ
- Проявитель: 0.26 Н МИФ 0.24 Н МИФ МИБ
- Сниматель:
Вход на сайт
Раздел в разработке.
Отменить заказ
Ваша корзина
| Наименование | Цена | Кол-во | Стоимость | Удалить |
Ваша корзина пока пуста. | ||||
Итого:0 руб.
Ваша корзина