Под заказ

Автоматическая измерительно-инспекционная система MUETEC MT3000

Артикул: 5-367006

  • Гибкая настройка и конфигурация системы
  • Габариты пластин/МЭМС от 2” до 200 мм
  • Габариты подложек/масок от 4” до 22” (от 100 до 550 мм)
  • Контроль в видимом, УФ и ИК диапазонах
  • Инспекция в произвольной последовательности
  • Самообучающаяся система
  • Лазерная автофокусировка в режиме реального времени
  • Масштабируемая производительность
  • Масштабируемая чувствительность к дефектам
  • Последовательная инспекция от кристалла к кристаллу
  • Последовательная инспекция от пластины к пластине
  • Онлайн и оффлайн анализ дефектов
  • Классификация дефектов на базе предустановленных фильтров
  • Программное и аппаратное обеспечение конфигурируется в соответствии с требованиями заказчика

Модель: MT3000 – автоматическая измерительно-инспекционная система контроля качества полупроводниковых пластин

Применение: MueTec 3000 – это полностью автоматизированная система контроля качества полупроводниковых пластин, с помощью которой можно осуществлять контроль и анализ дефектов, измерения критических размеров (CD), степени совмещения технологических слоев на пластине, а также толщин слоев/пленок. Система работает в прямом и отраженном свете видимого, УФ, дальнего УФ и ИК излучения. Система может быть использована для контроля качества пластин, масок, МЭМС и нестандартных подложек размером от 3” до 8”.

Краткое описание и технические характеристики

Контроль и анализ дефектов

  • Гибкая настройка и конфигурация системы
  • Габариты пластин/МЭМС от 2” до 200 мм
  • Габариты подложек/масок от 4” до 22” (от 100 до 550 мм)
  • Контроль в видимом, УФ и ИК диапазонах
  • Инспекция в произвольной последовательности
  • Самообучающаяся система
  • Лазерная автофокусировка в режиме реального времени
  • Масштабируемая производительность
  • Масштабируемая чувствительность к дефектам
  • Последовательная инспекция от кристалла к кристаллу
  • Последовательная инспекция от пластины к пластине
  • Онлайн и оффлайн анализ дефектов
  • Классификация дефектов на базе предустановленных фильтров
  • Программное и аппаратное обеспечение конфигурируется в соответствии с требованиями заказчика

Типовые технические характеристики

Размер подложки

25х25 мм

150х150 мм

225х225 мм

350х350 мм

Размер дефекта

Минуты

1 мкм

1

30

70

160

2 мкм

0,25

8

18

40

5 мкм

0,07

2

5

10

 

Размер пластины

125 мм

150 мм

200 мм

300 мм

Размер дефекта

Минуты

1 мкм

16

24

40

100

2 мкм

4

6

10

24

5 мкм

1

15

2,5

6

Измерение критических размеров (CD-измерения)

  • Лазерная автофокусировка
  • Автофокусировка изображения
  • Измерения размеров по оси Z
  • Измерения реперных точек и отверстий
  • Измерения в условиях размытия края изображения
  • Измерение элементов топологии
  • Выравнивание фона изображения
  • Разные алгоритмы для работы с масками и пластинами
  • Множественные одновременные измерения по осям XY
  • Гибкое программное обеспечение для калибровки

Типовые технические характеристики

  • Травление пластин: ≤ 4 нм 3 σ
  • Резист на металле: ≤ 9 нм 3 σ
  • Маски, COG: ≤ 1 нм 3 σ
  • Минимальный размер структуры: 0,8 мкм (в видимом излучении), 0,5 (в УФ-излучении)
  • Производительность: ≥ 70 пластин в час

Измерение степени совмещения технологических слоев на пластине (оверлей-измерения)

  • Квадрат в квадрате
  • Рамка в рамке
  • L-решетка
  • Круг в круге
  • Измерения нестандартных структур
  • Многоуровневая фокусировка
  • Автоматизированный расчет и коррекция индуцированного инструментом смещения (TIS)

Типовые технические характеристики

  • Травление пластин: ≤ 2 нм 3 σ
  • Резист на металле: ≤ 4 нм 3 σ
  • TIS: ≤ 3 нм 3 σ
  • Производительность: ≥ 70 пластин в час

Измерение толщины пленки

  • Прозрачные и полупрозрачные материалы
  • От 1 до 3 слоев
  • Диапазон измерения толщины от 10 нм до 40 мкм
  • Алгоритм с использованием быстрого преобразования Фурье (FFT)
  • Программируемый диаметр пучка лазера
  • Измерение в активной области интегральной схемы

Типовые технические характеристики

  • Оксиды, нитриды: ≤ 1 нм 3 σ
  • Резист: ≤ 3 нм 3 σ
  • Производительность: ≥ 70 пластин в час

Инфракрасная микроскопия и контроль дефектов

  • Оптимизированная под ИК-излучение оптика
  • InGaAs камера
  • Измерения в отраженном и проходящем ИК / ближнем ИК свете
  • Лазерная автофокусировка
  • Контроль герметичности
  • Контроль целостности изделия
  • Контроль качества сращивания пластин
  • Контроль склеенных пластин
  • Контроль пластин «Кремний на изоляторе»
  • Автоматическая классификация дефектов
  • Онлайн и оффлайн анализ дефектов
  • Оверлей-измерения слоев сверху-вниз
  • Измерения критических размеров

Типовые технические характеристики

  • Диапазон излучения 1050-1550 нм
  • Степень увеличения 2,5х, 5х, 10х, 20х, 63х, 100х
  • Производительность – зависит от задачи

 

Запросить цену в 1 клик
Комментарии