Модель: MT2010 – полуавтоматическая измерительно-инспекционная система контроля качества полупроводниковых пластин
Применение: MueTec 2010 – это полуавтоматическая система контроля качества полупроводниковых пластин, с помощью которой можно осуществлять контроль и анализ дефектов, измерения критических размеров (CD), степени совмещения технологических слоев на пластине, а также толщин слоев/пленок. Система работает в прямом и отраженном свете видимого, УФ, дальнего УФ и ИК излучения. Система может быть использована для контроля качества пластин, масок, МЭМС и нестандартных подложек размером от 3” до 8”.
Краткое описание и технические характеристики
Контроль и анализ дефектов
- Гибкая настройка и конфигурация системы
- Габариты пластин/МЭМС от 2” до 200 мм
- Габариты подложек/масок от 4” до 22” (от 100 до 550 мм)
- Контроль в видимом, УФ и ИК диапазонах
- Инспекция в произвольной последовательности
- Самообучающаяся система
- Лазерная автофокусировка в режиме реального времени
- Масштабируемая производительность
- Масштабируемая чувствительность к дефектам
- Последовательная инспекция от кристалла к кристаллу
- Последовательная инспекция от пластины к пластине
- Онлайн и оффлайн анализ дефектов
- Классификация дефектов на базе предустановленных фильтров
- Программное и аппаратное обеспечение конфигурируется в соответствии с требованиями заказчика
Типовые технические характеристики
|
Размер подложки |
25х25 мм |
150х150 мм |
225х225 мм |
350х350 мм |
|
Размер дефекта |
Минуты |
|||
|
1 мкм |
1 |
30 |
70 |
160 |
|
2 мкм |
0,25 |
8 |
18 |
40 |
|
5 мкм |
0,07 |
2 |
5 |
10 |
|
Размер пластины |
125 мм |
150 мм |
200 мм |
300 мм |
|
Размер дефекта |
Минуты |
|||
|
1 мкм |
16 |
24 |
40 |
100 |
|
2 мкм |
4 |
6 |
10 |
24 |
|
5 мкм |
1 |
15 |
2,5 |
6 |
Измерение критических размеров (CD-измерения)
- Лазерная автофокусировка
- Автофокусировка изображения
- Измерения размеров по оси Z
- Измерения реперных точек и отверстий
- Измерения в условиях размытия края изображения
- Измерение элементов топологии
- Выравнивание фона изображения
- Разные алгоритмы для работы с масками и пластинами
- Множественные одновременные измерения по осям XY
- Гибкое программное обеспечение для калибровки
Типовые технические характеристики
- Травление пластин: ≤ 4 нм 3 σ
- Резист на металле: ≤ 9 нм 3 σ
- Маски, COG: ≤ 1 нм 3 σ
- Минимальный размер структуры: 0,8 мкм (в видимом излучении), 0,5 (в УФ-излучении)
- Производительность: ≥ 70 пластин в час
Измерение степени совмещения технологических слоев на пластине (оверлей-измерения)
- Квадрат в квадрате
- Рамка в рамке
- L-решетка
- Круг в круге
- Измерения нестандартных структур
- Многоуровневая фокусировка
- Автоматизированный расчет и коррекция индуцированного инструментом смещения (TIS)
Типовые технические характеристики
- Травление пластин: ≤ 2 нм 3 σ
- Резист на металле: ≤ 4 нм 3 σ
- TIS: ≤ 3 нм 3 σ
- Производительность: ≥ 70 пластин в час
Измерение толщины пленки
- Прозрачные и полупрозрачные материалы
- От 1 до 3 слоев
- Диапазон измерения толщины от 10 нм до 40 мкм
- Алгоритм с использованием быстрого преобразования Фурье (FFT)
- Программируемый диаметр пучка лазера
- Измерение в активной области интегральной схемы
Типовые технические характеристики
- Оксиды, нитриды: ≤ 1 нм 3 σ
- Резист: ≤ 3 нм 3 σ
- Производительность: ≥ 70 пластин в час
Инфракрасная микроскопия и контроль дефектов
- Оптимизированная под ИК-излучение оптика
- InGaAs камера
- Измерения в отраженном и проходящем ИК / ближнем ИК свете
- Лазерная автофокусировка
- Контроль герметичности
- Контроль целостности изделия
- Контроль качества сращивания пластин
- Контроль склеенных пластин
- Контроль пластин «Кремний на изоляторе»
- Автоматическая классификация дефектов
- Онлайн и оффлайн анализ дефектов
- Оверлей-измерения слоев сверху-вниз
- Измерения критических размеров
Типовые технические характеристики
- Диапазон излучения 1050-1550 нм
- Степень увеличения 2,5х, 5х, 10х, 20х, 63х, 100х
- Производительность – зависит от задачи
