Измерители параметров полупроводниковых приборов Agilent Technologies

• Требуемое число гнёзд: 2
• Макс. напряжение источника: ±200 В
• Макс. сила тока источника: ±1 A
• Разрешение при измерении напряжения: 2 мкВ
• Разрешение при измерении силы тока: 10 фA

• Требуемое число гнёзд: 1
• Макс. напряжение источника: ±100 В
• Макс. сила тока источника: ±100 мA
• Разрешение при измерении напряжения: 0,5 мкВ
• Разрешение при измерении силы тока: 10 фA

• Требуемое число гнёзд: 1
• Макс. напряжение источника: ±100 В
• Макс. сила тока источника: ±100 мA
• Разрешение при измерении напряжения: 0,5 мкВ
• Разрешение при измерении силы тока: 1 фA

• Требуемое число гнёзд: неприменимо
• Макс. напряжение источника: ±100 В
• Макс. сила тока источника: ±100 мA
• Разрешение при измерении напряжения: 0,5 мкВ
• Разрешение при измерении силы тока: 0,1 фA

• Базовый блок

• Модуль коммутации с фемтоамперными токами утечки
• Матричные коммутаторы не ухудшают характеристик анализатора параметров полупроводников
• Поддержка полной конфигурации Кельвина
• 14 внутренних измерительных трактов
• Функция компенсации при измерении емкости
• Светодиодный дисплей, клавиатура или световое перо (по заказу), доступные при управлении с передней панели
• Полоса пропускания 30 МГц

• Базовый блок

• 14-канальный модуль коммутации с малыми токами утечки

• Базовый блок

• Модуль коммутации 10 х 12

• 24-канальный модуль мультиплексора