После проведения фотолитографии и травления материала по маске фоторезиста, полупроводниковую пластину необходимо подготовить к следующей фотолитографии, удалив слой проявленного фоторезиста. При этом очень важно, чтобы с одной стороны, он был удалён без остатка, и, с другой стороны, чтобы при удалении не был повреждён топологический рисунок, уже сформированный на поверхности подложки. Для этих целей в микроэлектронике применяют различные органические и неорганические растворители. При этом важна их чистота, а также инертность к топологическим слоям, уже сформированным на пластине. Группа компаний Остек поставляет широкий спектр материалов для снятия ФР, состав и свойства которых идеально подходят для применения в микроэлектронике.
Основные характеристики
|
Сниматель |
Точка вспышки, °С |
Температура кипения, °С |
Чистота |
|
89 |
189 |
ULSI |
|
|
MOS |
|||
|
89 |
190 |
MOS |
|
|
87 |
189 |
||
|
100,5 |
189 |
||
|
91 |
202 |
MOS |
|
|
от VLSI |
|||
|
72 |
159-194 |
от VLSI |
|
|
3 |
75 |
от VLSI |
|
|
103 |
от VLSI |
||
|
98 |
от VLSI |
||
|
нет |
от VLSI |
||
|
91-95 |
202 |
||
|
88 |
200 |
Условия поставки
Сниматели фоторезистов поставляются под заказ
Упаковка
Сниматели фоторезистов полимеры упакованы в бутылки и банки различного объёма.
Хранение и транспортировка
Срок годности и условия хранения снимателей фоторезистов указаны в техническом описании на данные продукты. Заморозка материалов недопустима.
