Резист для оптической, электронной и наноимпринтной литографии Microresist Technology ma-P 1200
Тон: позитивный.
Толщина плёнки: 0,5 – 7,5 мкм.
Экспонирование: i-линия (365 нм), h-линия (405 нм) и g-линия (436 нм) или интегральное экспонирование (350 – 400 нм).
Резист для оптической, электронной и наноимпринтной литографии Microresist Technology ma-N 400
Тон: негативный.
Толщина плёнки: 0,1 – 1 мкм.
Экспонирование: электронным лучом или ГУФ.
Проявление: воднощелочными растворами.
Резист для оптической, электронной и наноимпринтной литографии Microresist Technology ma-N 1400
Тон: негативный.
Толщина плёнки: 0,1 – 1 мкм.
Экспонирование: электронным лучом или ГУФ.
Проявление: воднощелочными растворами.
Фоторезист для оптической и электронной литографии Microchem SU-8
Тон: негативный.
Толщина плёнки: 1 – 100 мкм.
Фоторезист для оптической и электронной литографии Microchem KMPR 1000
Тон: негативный.
Толщина плёнки: 4 – 120 мкм.
Экспонирование: i-линия (365н м) или интегральное экспонирование (350 – 400 нм).
Проявление: 2,8% TMAH, SU-8 developer или KOH.
Фоторезист для оптической и электронной литографии Microchem PMGI
Тон: позитивный.
Толщина плёнки осаждённого материала: 0,02 – 5 мкм
Экспонирование: i-линия (365 нм), h-линия (405 нм) и g-линия (436 нм), ГУФ, 193 нм или электронным пучком.
Проявление: TMAH и другие металлосодержащие проявители.
Удаление: Remover PG.
Фоторезист для оптической и электронной литографии Microchem LOR
Тон: негативный.
Толщина плёнки: 4 – 120 мкм.
Экспонирование: i-линия (365н м) или интегральное экспонирование (350 – 400 нм).
Проявление: 2,8% TMAH, SU-8 developer или KOH.
Электронные резист для оптической и электронной литографии Microchem PMMA
Тон: позитивный.
Толщина: 0,2 – 2 мкм.
Экспонирование: электронным пучком, рентгеновскими лучами или ГУФ.
Проявление: MIBK.
Электронные резист для оптической и электронной литографии Microchem PMMA
Тон: позитивный.
Толщина: 0,2 – 2 мкм.
Экспонирование: электронным пучком, рентгеновскими лучами или ГУФ.
Проявление: MIBK.
Обращаемые (image-reversal) фоторезисты серии TI для обратной литографии MicroChemicals TI 35 E
Тон: обращаемый (image-reversal).
Толщина плёнки: 2,5 – 5 мкм.
Экспонирование: i-линия (365 нм), h-линия (405 нм), g-линия (436 нм) или интегральное экспонирование.
Проявление: AZ 826 MIF, AZ 400K и др.
Обращаемые (image-reversal) фоторезисты серии TI для обратной литографии MicroChemicals TI xLift
Тон: обращаемый (image-reversal).
Толщина плёнки: 6 – 20 мкм.
Экспонирование: i-линия (365 нм), h-линия (405 нм), g-линия (436 нм) или интегральное экспонирование.
Проявление: AZ 826 MIF, AZ 400K и др.
Обращаемые (image-reversal) фоторезисты серии TI для обратной литографии MicroChemicals TI Plating
Обращаемые (Image-reversal) фоторезисты для нанесения аэрозольным распылением. Предназначены для процессов обратной литографии и жидкостного химического травления и могут быть использованы как позитивные или обращены и использованы как негативные. Вязкость этих фоторезистов подобрана таким образом, что позволяет использовать их для аэрозольного распыления и получать плёнки толщиной от 2 до 20 мкм (TI Plating) и от 1 до 10 мкм (TI Spray).
Тон: обращаемый (image-reversal).
Толщина плёнки: 1 – 10 мкм (TI Spray), 2 – 20 мкм (TI Plating).
Экспонирование: i-линия (365 нм), h-линия (405 нм), g-линия (436 нм) или интегральное экспонирование.
Проявление: AZ 826 MIF, AZ 400K и др.
Жидкости для обратной литографии: PGMEA, NMP, MMP, EEP, DMF или ацетон.
Удаление: AZ 100 Remover или ацетон.
Техническое описание: TI Spray . pdf , TI Plating . pdf .
Обращаемые (image-reversal) фоторезисты серии TI для обратной литографии MicroChemicals TI Spray
Обращаемые (Image-reversal) фоторезисты для нанесения аэрозольным распылением. Предназначены для процессов обратной литографии и жидкостного химического травления и могут быть использованы как позитивные или обращены и использованы как негативные. Вязкость этих фоторезистов подобрана таким образом, что позволяет использовать их для аэрозольного распыления и получать плёнки толщиной от 2 до 20 мкм (TI Plating) и от 1 до 10 мкм (TI Spray).
Тон: обращаемый (image-reversal).
Толщина плёнки: 1 – 10 мкм (TI Spray), 2 – 20 мкм (TI Plating).
Экспонирование: i-линия (365 нм), h-линия (405 нм), g-линия (436 нм) или интегральное экспонирование.
Проявление: AZ 826 MIF, AZ 400K и др.
Жидкости для обратной литографии: PGMEA, NMP, MMP, EEP, DMF или ацетон.
Удаление: AZ 100 Remover или ацетон.
Техническое описание: TI Spray . pdf , TI Plating . pdf .
Фоторезист для оптической и электронной литографии AZ Elektronik Materi AZ 1500
Тон: позитивный.
Толщина плёнки: 0,5 – 3 мкм.
Экспонирование: i-линия (365 нм), h-линия (405 нм) и g-линия (436 нм) или интегральное экспонирование (350 – 400 нм).
Фоторезист для оптической и электронной литографии AZ Elektronik Materi AZ 1512 HS
Тон: позитивный.
Толщина плёнки: 0,5 – 3 мкм.
Экспонирование: i-линия (365 нм), h-линия (405 нм) и g-линия (436 нм) или интегральное экспонирование (350 – 400 нм).
